項目申報信息
| 項目名稱 | 證書編號 | 公示時間 | 課題名稱 | 補貼金額 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| 高新技術(shù)企業(yè) | GR202131005954 |  |
- | - | 查看詳情 |
| 中國專利獎 | ZL201210378282.X | |
等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣區(qū)域制程速率的方法 | - | 查看詳情 |
| 國家級企業(yè)技術(shù)中心 | - | |
技術(shù)中心 | - | 查看詳情 |
| 高新技術(shù)企業(yè) | GR201831002352 | |
- | - | 查看詳情 |
| 國家級制造業(yè)單項冠軍產(chǎn)品 | - | |
28/22/14/7納米刻蝕機系列 | - | 查看詳情 |
| 上海市科技小巨人企業(yè) | 1504HX76500 | |
- | - | 查看詳情 |
| 中國專利獎 | ZL200710039453.5 | |
射頻功率源系統(tǒng)及使用該射頻功率源系統(tǒng)的等離子體反應腔室 | - | 查看詳情 |
| 上海市企業(yè)技術(shù)中心 | - | |
中微半導體設(shè)備（上海）有限公司技術(shù)中心能力建設(shè)項目 | - | 查看詳情 |
| 中國專利獎 | ZL200710042285.5 | |
包含多個處理平臺的去耦合反應離子刻蝕室 | - | 查看詳情 |
| 中國專利獎 | ZL201010106570.0 | |
一種等離子體處理裝置及其處理方法 | - | 查看詳情 |
| 高新技術(shù)企業(yè) | GR201531001277 | |
- | - | 查看詳情 |